一、片状钽电容器的发展现状（论文文献综述）
苏龙兴,颜晓勇[1]（2021）在《金属钽粉的生产及提纯工艺进展》文中认为系统介绍了目前工业生产原生钽粉的不同方法,主要包括氟钽酸钾钠还原法、氧化钽钠/镁还原法、氧化钽电脱氧法（FFC）等,并从生产效率、反应机理等几个方面分析了这几种方法的优缺点;介绍了原生钽粉的酸浸、水洗以及降氧等提纯工艺的进展;对Fe、Ni、Cr、Cu等金属杂质和C、O、Si等非金属杂质的除杂机理和提纯工艺进行了系统介绍和评价。
林竟男[2]（2020）在《固体钽电容器阴极材料PEDOT的合成及光电性能的研究》文中研究表明在诸多电子设备中,以MnO2为阴极的Ta/MnO2固体钽电容器因其高稳定性、可靠性和钽阳极的多孔结构提供的高容量效率,广泛应用于商业电子产品中。但MnO2作为阴极材料时存在导电性差、热失控故障模式和较高的等效串联电阻（ESR）的缺点,用导电聚合物聚（3,4-乙烯二氧噻吩）（PEDOT）取代MnO2做反电极,可明显提高电容器的性能,改善其频率特性和耐久性,已成为钽电容器阴极材料的重要选择之一。本论文以作为在固体钽电容阴极材料为基础制备PEDOT溶液,并对其光电性能进行研究。主要研究方法和成果如下:（1）采用传统乳液聚合与细乳液聚合法两种方法制备PEDOT:PSS溶液。通过调节表面活性剂用量、催化体系的优化和搅拌方式等条件,考察不同反应条件对于PEDOT:PSS溶液性能的影响。相较于传统的乳液聚合,细乳液聚合方法在粒径均一性、电位稳定性和掺杂度等方面性能更为优异。并通过细乳液聚合方法得到一系列PEDO:PSS导电溶液。优化细乳液聚合工艺确定最佳的工艺参数,即PSS与EDOT的摩尔比为3:1,FeSO4?7H2O:EDOT的摩尔比为0.3:1,KPS:EDOT的摩尔比为1:1。（2）采用二次掺杂法,分别选用氯化锌（ZnCl2）、乙二醇（EG）、山梨醇、六氟丙酮等作为掺杂剂,探究上述掺杂剂对于PEDOT薄膜电导率的影响。结果表明ZnCl2和乙二醇作为掺杂剂对于PEDOT薄膜电导率具有明显提升效果。其中乙二醇的效果最为明显,相比于原始的PEDOT:PSS薄膜而言,电导率提高了200倍,掺杂后的薄膜电导率为0.16 S/cm。（3）选取前两章制备的性能最优的样品作为固体钽电容器阴极材料,对电容器相关性能进行表征,由于细乳液法制备的粒径更低,更容易浸渍到钽块的内部,该材料对于漏电流有明显改善。
王佳蓉[3]（2020）在《信息不完全下HD公司研发投资决策优化研究》文中提出当前经济社会,持续有效的研究与开发是高新技术企业获得动态核心竞争力的必由之路,研发投资的有效性首先受制于其投资决策的科学性,因而,研究信息不完全下高新技术企业研发投资决策对于高新技术企业快速、健康发展具有重要的理论和实践意义。本文在相关文献综述的基础上,结合高新技术企业研发投资决策的方法和特点,并界定信息不完全的概念,即指的是不确定和信息不对称。运用案例分析法,针对HD公司研发投资决策现状和存在问题,从两个方面进行优化。一是根据历史经验数据及其他因素科学估计研发投资决策的相关要素。包括根据研发项目的复杂程度和该项技术的发展趋势确定项目计算期（包括研发期和受益期）;根据风险因素发生的概率和资本成本确定研发风险（折现率）;按照研发项目相关销售收入和成本费用等历史数据和参数估计项目预期现金流。二是选择科学合理的研发投资决策方法。通过对主要方法优劣势评析,选择净现值法和内部收益率法作为研发投资决策方法,经第三方专家评价后,上交至董事会和股东大会作出投资决策。得出如下结论:HD公司两个研发投资项目在财务上是完全可行的,净现值为正且内部收益率较高,项目投产后将为公司带来稳定的回报和可观的经济效益;同时信息不完全下高新技术企业研发投资具有高不确定性,主观判断往往造成数据不准确投资失败,应根据历史经验数据结合社会经济水平选择科学合理的投资决策方法。
代东升[4]（2019）在《提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究》文中研究表明片式钽电容器作为通用元器件之一,具有体积小、重量轻、滤波效果好等优点,已广泛应用于军用电子领域。但是,在低阻抗和高频线路中使用时,二氧化锰片式钽电容器常常在开关机瞬间出现浪涌电流失效。据国内外厂家和用户统计,片式钽电容器通电失效案例中浪涌电流失效占到80%以上。因此,提升片式固体电解质钽电容器耐浪涌电流的能力,可有效降低片式钽电容器因浪涌电流失效对整机应用产生的影响,提高产品的应用可靠性。目前,国外公司已经有了关于浪涌电流失效机理的研究,并提出了主要有四种失效机理的理论。国内在浪涌电流失效机理方面未提出相应的理论,主要以参考和借鉴国外理论为主。为满足元器件的国产化替代需求,提高国产片式固体电解质钽电容器的使用可靠性,急需开展相关研究。本文首先分析了片式钽电容器的关键工艺流程,即阳极设计、压制成型、烧结、形成、被膜和筛选。接着研究总结了四种浪涌电流失效机理:闪火击穿理论为介质氧化膜缺陷,电流集中流过闪火击穿失效;电压振荡理论为产品耐压不足,开机高压击穿失效;局部热击穿理论为阴极层不均匀,局部电场强度大,电流密度大,产生高温热击穿失效;机械应力失效理论为钽芯强度低,经焊接热应力膨胀产生内部机械应力损伤而失效。从浪涌电流失效机理入手,结合片式钽电容器的结构和工艺流程,详细地分析了各关键工艺流程对片式钽电容器耐浪涌电流能力的影响。通过上述研究,得出了各工艺与不同失效机理之间的关系,明确提出了各工艺流程的影响因素。比如,阳极设计同电压振荡和闪火击穿失效理论相关,主要影响因素有钽粉选用、设计钽芯尺寸和重量以及设计形成电压;成型工艺同电压振荡、局部热击穿和机械应力失效理论相关,主要影响因素有粉重偏差、压制密度、钽粉压制分布均匀性以及钽芯完整性等。最后结合失效机理及工艺影响因素,针对性地开展片式固体电解质钽电容器的阳极设计优化、关键工艺优化以及筛选方法优化的研究,以提升片式钽电容器耐浪涌电流冲击的能力。研究成果包括生产中尽量选择片状粉粒钽粉、粘合剂增加有机酸、烧结工序采用钝化工艺、热处理时加入惰性气体等。根据工艺优化研究结果,投入了大量的产品进行工艺试验验证,证明了优工艺优化研究的有效性。本文的研究成果,对提升片式钽电容器耐浪涌电流能力具有实际的生产指导意义。
田超[5]（2019）在《一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究》文中进行了进一步梳理二氧化锰阴极模压片式钽电容器具有体积小、重量轻、电压高、容量大、漏电流小、等效串联电阻低、温度和频率特性好、可靠性高和寿命长等优点,被广泛应用于各类电子整机线路中,起着储能、滤波、旁路、耦合等作用。近年来,随着电子整机系统不断向微型化、集成化、大功率化和高频化等方向快速发展,对片式钽电容器的耐压性能提出了更高的要求。本文在研究片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系的基础上,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的阳极氧化方法。本文以片式钽电容器为实验样品进行研究,研究的主要内容和结论包括:1、从原理上讲,片式钽电容器的耐压能力与其介质氧化膜形成电压符合正比关系,即介质氧化膜形成电压越高,片式钽电容器耐压能力越强。但存在部分形成电压高的片式钽电容器耐压能力反而低于形成电压低的片式钽电容器,分析得到造成该现象的原因是:片式钽电容器的介质氧化膜形成后,在后续生产制造和使用过程中由于受到温度应力、机械应力和电气应力等冲击,介质氧化膜劣化,导致其耐压能力下降。2、基于片式钽电容器介质氧化膜受应力劣化的原理,提出了一种提高片式钽电容器耐压能力的介质氧化膜形成方法,即在传统的阳极氧化前增加一次在低温、高形成电压和高形成电流密度条件下的快速形成,快速形成生成的五氧化二钽氧化膜仅仅附在阳极钽块的外表面,起到保护后续形成的氧化膜免受热量的、机械的和电气的冲击损伤,降低其耐压性能劣化,从而达到提高片式钽电容器耐压能力的目的。根据实验结果,采用快速形成方法的片式钽电容器击穿电压明显高于未采用快速形成的片式钽电容器采用快速形成方法的片式钽电容器无论在何种测试电压下的浪涌电流失效率均低于未采用快速形成的片式钽电容器,尤其是在高倍率测试电压下的浪涌电流失效率差异尤为明显。3、研究了快速形成方法的工艺参数选择,根据理论并结合实验结果,快速形成液选择碱金属的强碱性溶液,形成温度最高不能超过15℃,否则电容器电容量将大幅衰减;升压电流密度选择3A/mg;恒压时间90s;快速形成电压不能低于片式钽电容器额定电压的4倍,但最好不超过额定电压的6倍。4、由于钽粉本身存在极限形成电压,因此快速形成的方法仅适用于额定电压为25V及以下的片式钽电容器。通过以上研究,本文提出了一种提高片式钽电容器耐压性能的形成方法,并得出了该方法的最优工艺参数,为高可靠性和低形成倍率的片式钽电容器制造提供了一种阳极氧化方法,在提升企业技术水平和市场竞争力等方面,具有直接的实际意义。
舒启佳[6]（2019）在《基于有限元的钽电容器高频振动分析与优化设计》文中认为钽电解电容器具有体积小、电容量大的特点,是整机最为基础和重要的电子元件之一,在军事通讯、航空航天等领域具有广泛的应用。钽电容器在工作过程中常常会经受高频振动（振动频率1000Hz以上）,强烈的振动会对钽电容器的结构与性能造成严重影响,甚至是物理失效,如阳极引线断裂、阳极块损坏、接触不良、脱焊等。为解决钽电容器在强烈振动环境中应用的工程问题,确定钽电容器对在现场使用中可能经受到的高频振动的适应性和结构完整性,往往需要对其进行高频振动分析与试验。传统的高频振动利用振动试验台对其进行高频振动试验。但钽电容器的小体积和特殊的成品封装形式,导致很难在高频振动过程中获取内部结构的应力、应变等动态响应特性,使其结构的耐振性、可靠性和完好性测试受到限制。随着计算机技术和有限元计算方法的发展,计算机有限元仿真为钽电容器高频振动分析提供了有力工具。钽电容器所经受的振动环境属于高频受迫振动,本文依据高频振动试验条件（GJB360B-2009）,并利用高级数值仿真软件COMSOL Multiphysics进行钽电容器高频振动的分析研究工作,发现:钽电容器的物理失效形式绝大多数都是阳极引线在阳极块和调整垫片的接触处发生断裂。同时,引线断裂处的阳极块上有裂纹产生;影响钽电容器振动状态下结构稳定性的因素较多,主要包括阳极引线直径d、振动加速度级别a、调整垫片材料（PTFE或橡胶）和结构、调整垫片与阳极块的接触面积比S、调整垫片与阳极块的接触压力F以及摩擦系数μ等。同时,每一个因素包含有多个因子（水平）。仿真研究结果表明:随着振动加速度级别a的提高,钽电容器内部最大应力值呈迅速增长趋势;随着摩擦系数f的提高,钽电容器内部最大应力值逐渐减小,且阳极引线直径d越大,其受摩擦系数f的影响越小;随着接触压力F的提高,该钽电容器内的最大应力值逐渐减小,且阳极引线直径d越大,其受接触压力F的影响越小;随着调整垫片与阳极块的接触面积比S的增大,电容器的最大应力值逐渐减小且趋于平缓;采用改进后的新型爪式调整垫片的钽电容器通过进一步的仿真、振动试验以及电学性能测试,发现优化的结构可以显着降低振动过程中电容器内应力变化幅度,提高钽电容器在振动环境下的结构稳定性与可靠性并满足电学性能要求。优化后的钽电容器具有很好的工程应用价值,已在相关的军工企业中得到量产。本文所做的相关理论与实验研究对于电容器的设计、制造以及优化具有一定意义的指导作用。
李福成,陈学清,包富贵[7]（2018）在《钽电解电容器用导电聚合物银浆的研究进展》文中指出综述国内外钽电解电容器用导电聚合物银浆的最新研究现状和发展趋势.针对聚合物银浆在现代工业中的广泛应用,对比分析国内外生产技术、规模与产品的质量.对导电聚合物银浆的进一步研究及应用有重要的参考意义.
邱士起[8]（2016）在《冲击作用下引信起爆控制系统关键元器件失效机理及其可靠性分析》文中进行了进一步梳理随着新型防御工事材料及施工工艺的发展与应用,现代战争中很多高价值目标的防护能力不断提高,用来打击此类高强度目标的侵彻弹将面临大质量、高侵彻速度等一系列问题,这也意味着弹体内部引信系统等将经历更为恶劣的冲击过载环境。起爆控制系统作为引信的重要组成部分,其工作的可靠性直接影响目标的毁伤效果。根据目前的实验研究情况,高速侵彻下,起爆控制系统会出现机械性损坏、性能异常等失效问题。目前,对晶振、固体钽电容等器件在冲击作用下的性能失效机理尚不清晰,因而造成目前通常采用的起爆控制系统防护措施并不十分奏效。针对上述问题,论文对石英晶振、固体钽电容在冲击作用下的失效机理,特别是其性能失效机理开展研究,以便为器件抗冲击设计及起爆控制系统的可靠性设计提供参考。本文的主要研究内容如下:（1）以CETECJ-30MHz有源晶振为研究对象,通过力锤冲击试验对石英晶振在冲击作用下的性能进行了测试和分析,初步给出了失效概率随加速度的变化规律。在此基础上,建立晶振动力学模型,对其在冲击作用下的力电响应特性分析,给出了晶振电参数随冲击载荷的变化情况,及其性能失效的机理。（2）以固体钽电容为研究对象,通过马歇特落锤实验,对不同冲击作用下漏电流变化情况进行了测试,根据对测试结果的分析,漏电流随加速度的增大而增大,结合实际工作要求,固体钽电容的失效概率随加速度增大呈指数增大。用LS-DYNA建立固体钽电容模型,对其在冲击作用下的力学响应特性进行分析,定性指出冲击作用下固体钽电容颗粒接触位置应力会增大,使得界面应力增强,导致界面处Ta-O化合键的断裂,参与导电的电子增多,电流密度增大。（3）对起爆控制系统电路板组装方式提出去掉螺柱支撑的改进方案,并通过仿真验证其可行性。最后,基于故障树分析方法,对实验所用引信起爆控制电路系统故可靠性分析,并给出其失效概率。
陈双平[9]（2016）在《不同条件下片式固体电解质钽电容器击穿失效机理及耐压性能研究》文中研究指明片式固体电解质钽电容器因其体积小、容量大、漏电流小、温度和频率特性好、可靠性高、寿命长等优点在电子装备中一直有着广泛的应用,然而,因为耐压性能的要求一再提高,伴着市场的大量应用呈现各种的质量原因,此中凭据数据分析以击穿失效居多,钽电容器击穿失效以成为制约片式钽电容器在高可靠性领域一大阻碍。目前大部分的片式固体电解质钽电容器失效是与其生产工艺过程和使用方法密切相关,而作为电子元器件生产厂家,尽可能分析钽电容器击穿原因及耐压性能,达到提高片式固体电解质钽电容器的可靠性成为我们迫在眉睫的研究内容。片式固体电解质钽电容器之所以获得普遍的应用,除了钽电容器中钽及其氧化膜高度的物理化学稳定性、电容量大、温度特性好等优点外,一个重要的优点是这种片式钽电容器闪火击穿时会呈现自愈而恢复正常,同时二氧化锰可以在五氧化二钽因氧迁移使漏电流增大时为其补充氧原子、维持五氧化二钽分子的稳定性,从而有维持漏电流的稳定,保证电容器的可靠性。片式钽电容器在出厂前的筛选、试验、测试过程中发生的闪火击穿自愈是否会对可靠性产生影响,能否通过特殊的测试手段剔除闪火击穿自愈的产品,我厂采用的恒流二极管老化技术是否会有利于自愈的发生,该项筛选工艺技术的采用是否会对产品全生命周期的稳定性和可靠性造成影响,近年来产品贮存后发生漏电流大、短路、耐湿试验短路等问题是否与该项技术的采用有直接关联,目前均没有进行过深入的研究。通过本文研究,获得了闪火自愈及对片式钽电容器可靠性影响的重要结论,主要有片式钽电容器的闪火击穿电压随充电电流和温度的上升呈下降趋势,同时根据数据分析和理论分析判断恒流二极管老化技术容易导致片式钽电容器击穿后自愈,影响后续使用可靠性。通过对闪火自愈和未经闪火自愈两组产品可靠性对比试验数据分析,闪火自愈产品在通过高温、耐溶剂、威布尔加速寿命等可靠性后呈现出明显高的失效概率,证明生产、筛选过程中的闪火自愈现象对片式钽电容器长期工作可靠性具有一定的不良影响,建议取消恒流二极管老炼这一不利于淘汰不良产品的工艺。通过本论文研究,提出有效的可靠性评价和测试方法,对提高产品实物质量、降低失效概率、提升装备可靠性水平,提高企业技术水平和市场竞争力等方面,具有直接的重要意义。
帅柱军[10]（2014）在《钽电容器用高比容钽粉的研制》文中认为钽电容器由于其小型化、高容量化、高效能及稳定性高、可靠性强、寿命长等特点,广泛用于电气、通讯、汽车、军工、航空航天等领域。钽粉是制备钽电容器的重要材料,本论文重点研究了氟钽酸钾钠还原法制备钽电容器用高比容钽粉的工艺技术。根据氟钽酸钾钠还原反应机理,研究了氟钽酸钾浓度和还原温度对钽粉性能的影响,并通过对比实验发现：氟钽酸钾浓度越低,则费氏粒度（简称FSSS）越小,氧、钾含量越高；还原温度越高,则FSSS越大,氧、钾含量越低。经过数据分析,结合钠还原原粉FSSS与钽粉重量比容的关系,优化了各规格高比容钽粉的钠还原工艺。本论文以16V-70000μF·V/g高比容钽粉实验为例,探讨了钽粉热处理和镁处理各参数对钽粉性能的影响：热处理温度在1100℃至1300℃之间较为合适,温度过低,钽粉没有凝聚效果,颗粒强度低,细粉比例大,流动性不好;温度越高,钽粉的烧结性能越明显,钽粉松装比重增加,粒径变大,细粉比例减少从而流动性能越好。对于钽粉电性能,热处理温度过低,钽阳极坯块强度低,漏电流高；热处理温度过高,漏电流降低,但是钽粉的比表面积损失造成比容下降。镁处理过程中,加镁量要稍过量,达到钽粉含氧重量的300%为宜。反应温度在900℃以下降氧效果不明显,还原温度越高,降氧效果越好,但是还原温度过高,会减少钽粉比表面积从而降低比容。反应时间需≥3h,时间过短达不到降氧效果。
二、片状钽电容器的发展现状（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、片状钽电容器的发展现状（论文提纲范文）
（1）金属钽粉的生产及提纯工艺进展（论文提纲范文）
| 1 钽粉的生产方法 |
| 1.1 氟钽酸钾钠还原法 |
| 1.2 氧化钽镁/钠还原法 |
| 1.3 均相还原法 |
| 1.4 氧化钽电脱氧法（FFC法） |
| 2 酸浸、水洗除杂工艺研究 |
| 3 除O工艺研究 |
| 4 钽粉除杂的机会与挑战 |
| 4.1 Fe、Ni、Cr、Cu等金属杂质的除杂 |
| 4.2 O杂质的除杂 |
| 4.3 C杂质的除杂 |
| 4.4 N杂质的除杂 |
| 5 结语 |
（2）固体钽电容器阴极材料PEDOT的合成及光电性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 固体钽电解电容器概况 |
| 1.1.1 固体钽电解电容器的发展历史 |
| 1.1.2 固体钽电解电容器的应用 |
| 1.2 导电聚合物PEDOT的概述 |
| 1.2.1 导电聚合物PEDOT的研究历史及研究现状 |
| 1.2.2 导电聚合物PEDOT的制备方法 |
| 1.2.3 导电聚合物PEDOT的导电机理 |
| 1.2.4 导电聚合物PEDOT电导率提高方法 |
| 1.2.5 导电聚合物PEDOT的应用 |
| 1.3 细乳液聚合 |
| 1.3.1 细乳液聚合简介及聚合机理 |
| 1.3.2 细乳液的制备过程 |
| 1.3.3 细乳液聚合制备的乳液与常规乳液聚合制备的乳液的对比 |
| 1.3.4 细乳液聚合技术的应用 |
| 1.4 本论文研究目的和内容 |
| 1.4.1 本论文研究目的 |
| 1.4.2 本论文研究内容 |
| 第二章 实验药品及主要仪器 |
| 2.1 实验药品 |
| 2.2 仪器设备 |
| 2.3 测试表征方法 |
| 2.3.1 荧光光谱测试 |
| 2.3.2 光学显微形貌测试 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)测试 |
| 2.3.4 溶液粒径的测试 |
| 2.3.5 场发射扫描电子显微镜(SEM)测试 |
| 2.3.6 X射线光电子能谱(XPS)测试 |
| 2.3.7 电导率测试 |
| 2.3.8 X-射线衍射测试 |
| 2.3.9 热稳定性测试 |
| 2.4 薄膜与粉末样品制备 |
| 第三章 导电聚合物PEDOT的合成及光电性能的研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验路线 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 PEDOT:PSS溶液的光学显微形貌 |
| 3.3.2 PEDOT:PSS溶液粒径 |
| 3.3.3 红外光谱分析 |
| 3.3.4 PEDOT:PSS的 SEM形貌 |
| 3.3.5 XPS光电子能谱 |
| 3.3.6 电导率 |
| 3.4 乳液聚合工艺优化 |
| 3.4.1 PSS的临界胶束浓度(CMC) |
| 3.4.2 Fe(OTs)_3用量对粒径稳定性电导率产生的影响 |
| 3.4.3 KPS用量对平均粒径稳定性电导率的影响 |
| 3.4.4 FeSO_4?7H_2O用量对平均粒径稳定性电导率的影响 |
| 3.5 PEDOT:PSS的热稳定性 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 二次掺杂对PEDOT光电性能的影响研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 溶剂和无机盐添加量对PEDOT薄膜电导率的影响 |
| 4.3.2 PEDOT:PSS薄膜形貌分析 |
| 4.3.3 X-射线光电子能谱结构分析 |
| 4.3.4 X-射线衍射分析 |
| 4.4 PEDOT:PSS 电导率的提高机理分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 基于固体钽电容器PEDOT薄膜的被覆及相关性能的研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 PEDOT薄膜被覆工艺 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 性能测试结果及分析 |
| 5.3.2 场发射扫描电子显微镜(SEM)图分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
（3）信息不完全下HD公司研发投资决策优化研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.1.1 研究背景 |
| 1.1.2 研究意义 |
| 1.2 文献综述 |
| 1.2.1 长期投资决策理论 |
| 1.2.2 高新技术企业研发投资决策 |
| 1.2.3 信息不完全对高新技术企业研发投资决策影响 |
| 1.2.4 文献述评 |
| 1.3 研究方法与思路 |
| 1.3.1 研究方法 |
| 1.3.2 研究思路 |
| 1.4 创新点及不足 |
| 第二章 信息不完全下研发投资决策主要方法及理论概述 |
| 2.1 长期投资及研发投资决策相关概念界定 |
| 2.2 长期投资及研发投资决策主要方法 |
| 2.2.1 投资收益率法 |
| 2.2.2 静态投资回收期法 |
| 2.2.3 净现值法 |
| 2.2.4 内部收益率法 |
| 2.2.5 实物期权分析法 |
| 2.3 研发投资决策理论基础 |
| 2.3.1 信息不对称理论 |
| 2.3.2 委托代理理论 |
| 第三章 信息不完全下HD公司研发投资决策现状及存在问题 |
| 3.1 公司简介 |
| 3.1.1 HD公司发展历程 |
| 3.1.2 HD公司研发情况 |
| 3.2 信息不完全下高新技术企业研发投资决策的特点和影响 |
| 3.2.1 信息不完全下高新技术企业研发投资决策的特点 |
| 3.2.2 信息不完全对高新技术企业研发投资决策的影响 |
| 3.3 信息不完全下HD公司研发投资决策现状 |
| 3.3.1 研发投资决策相关要素的确定 |
| 3.3.2 研发投资决策方法的选择 |
| 3.4 信息不完全下HD公司研发投资决策存在主要问题 |
| 3.4.1 研发项目计算期主观估计 |
| 3.4.2 研发投资风险评估及折现率的确定缺乏科学性 |
| 3.4.3 研发投资预期现金流估计方法不当 |
| 3.4.4 研发投资决策方法缺乏科学合理性 |
| 第四章 信息不完全下HD公司研发投资决策优化 |
| 4.1 根据历史经验数据及其他因素科学估计研发投资决策的相关要素 |
| 4.1.1 研发投资项目计算期估算 |
| 4.1.2 研发投资风险评估及折现率确定 |
| 4.1.3 研发投资预期现金流估计 |
| 4.2 选择科学合理的研发投资决策方法 |
| 4.2.1 研发投资决策主要方法评析 |
| 4.2.2 研发投资决策方法的选择 |
| 4.3 信息不完全下HD公司研发投资决策优化案例 |
| 4.3.1 HD公司2017年研发项目简介 |
| 4.3.2 研发投资决策相关要素确定 |
| 4.3.3 研发投资决策方法选择及投资决策 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间主要成果 |
| 致谢 |
（4）提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钽电容器的发展背景及现状 |
| 1.1.1 钽电容器的研发历史及现状 |
| 1.1.2 片式钽电容器的失效模式 |
| 1.2 片式钽电容器浪涌电流失效机理及研究现状 |
| 1.2.1 片式钽电容器浪涌电流失效模式及机理 |
| 1.2.2 片式钽电容器抗浪涌电流失效研究现状 |
| 1.3 本论文工作的主要研究内容 |
| 1.3.1 研究目标及研究内容 |
| 1.3.2 拟采取的研究方法、技术路线和实验方案 |
| 第二章 片式钽电容器的电参数及主要工艺流程分析 |
| 2.1 片式钽电容器的电参数 |
| 2.1.1 电容量 |
| 2.1.2 损耗角正切值 |
| 2.1.3 直流漏电流 |
| 2.1.4 等效串联电阻 |
| 2.2 片式钽电容器的结构及生产流程 |
| 2.2.1 片式钽电容器的结构 |
| 2.2.2 片式钽电容的生产流程 |
| 2.3 片式钽电容器生产工艺流程分析 |
| 2.3.1 阳极设计 |
| 2.3.2 压制成型 |
| 2.3.3 烧结 |
| 2.3.4 形成 |
| 2.3.5 被膜 |
| 2.3.6 筛选 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 浪涌电流失效机理与相关生产工艺流程的影响分析 |
| 3.1 片式钽电容器浪涌电流失效机理研究 |
| 3.1.1 闪火击穿理论 |
| 3.1.2 电压振荡理论 |
| 3.1.3 局部热击穿理论 |
| 3.1.4 机械应力失效理论 |
| 3.2 浪涌电流失效与各工艺流程的影响性分析 |
| 3.2.1 阳极设计与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.2 成型工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.3 烧结工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.4 形成工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.5 被膜工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.6 筛选工艺与浪涌电流失效的影响 |
| 3.2.7 提升片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究机理 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 片式钽电容器耐浪涌电流能力提升工艺试验 |
| 4.1 阳极设计优化 |
| 4.1.1 优化方案 |
| 4.1.2 试验攻关 |
| 4.2 成型工艺优化 |
| 4.2.1 优化方案 |
| 4.2.2 攻关试验 |
| 4.3 烧结工艺优化 |
| 4.3.1 优化方案 |
| 4.3.2 攻关试验 |
| 4.4 形成工艺优化 |
| 4.4.1 优化方案 |
| 4.4.2 攻关试验 |
| 4.5 被膜工艺优化 |
| 4.5.1 优化方案 |
| 4.5.2 攻关试验 |
| 4.6 筛选优化 |
| 4.6.1 优化方案 |
| 4.6.2 攻关试验 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（5）一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 片式钽电容器的发展历史和发展趋势 |
| 1.1.1 钽金属 |
| 1.1.2 片式钽电容器的发展历史 |
| 1.1.3 片式钽电容器主要作用及应用领域 |
| 1.1.4 片式钽电容器的发展趋势 |
| 1.2 片式钽电容器简介 |
| 1.2.1 片式钽电容器结构原理 |
| 1.2.2 片式钽电容器主要制造流程 |
| 1.2.3 片式钽电容器的主要电性能参数和失效模式 |
| 1.3 国内外研究现状 |
| 1.4 课题研究意义、研究目标和研究内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 研究目标 |
| 1.4.3 研究内容 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 五氧化二钽氧化膜形成机理及性质特征 |
| 2.1 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.1.1 形成设备 |
| 2.1.2 五氧化二钽介质氧化膜形成过程 |
| 2.2 五氧化二钽氧化膜形成过程机理 |
| 2.2.1 正负极电极反应 |
| 2.2.2 五氧化二钽氧化膜形成的离子迁移理论 |
| 2.2.3 高场强下的离子电导基本方程 |
| 2.3 五氧化二钽氧化膜结构特征及晶化现象 |
| 2.3.1 五氧化二钽氧化膜结构特征 |
| 2.3.2 钽氧化膜晶化 |
| 2.3.3 钽氧化膜晶化的危害 |
| 2.4 钽氧化膜厚度测量 |
| 2.5 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.1 五氧化二钽氧化膜漏电流机理 |
| 2.5.2 PF(Poole Frankel)效应 |
| 2.5.3 电子隧穿 |
| 2.6 五氧化二钽氧化膜的热处理 |
| 2.7 五氧化二钽氧化膜性质及应用 |
| 2.8 本章小结 |
| 第三章 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压的关系 |
| 3.1 固体电介质击穿理论 |
| 3.1.1 固体电介质的击穿 |
| 3.1.2 固体电介质的击穿机制 |
| 3.1.3 固体电介质击穿电压与电介质厚度的关系 |
| 3.2 片式钽电容器耐压能力表征及其测试系统 |
| 3.2.1 片式钽电容器耐压能力表征 |
| 3.2.2 片式钽电容器击穿电压测试系统 |
| 3.2.3 片式钽电容器浪涌电流测试系统 |
| 3.3 片式钽电容器耐压能力与其介质氧化膜形成电压关系实验 |
| 3.3.1 片式钽电容器耐压能力的测试方法 |
| 3.3.2 片式钽电容器击穿电压与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.3.3 片式钽电容器耐浪涌电流能力与其形成电压关系测试结果及分析 |
| 3.4 片式钽电容器耐压能力与其形成电压关系分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法 |
| 4.1 快速形成方法的设计 |
| 4.2 快速形成的工艺条件选择 |
| 4.2.1 形成液的选择 |
| 4.2.2 形成温度的选择 |
| 4.2.3 快速形成电压的选择 |
| 4.2.4 快速形成的电流密度和恒压时间 |
| 4.3 快速形成方法的适用范围 |
| 4.4 快速形成方法对片式钽电容器耐压性能的提升效果 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 结论和展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（6）基于有限元的钽电容器高频振动分析与优化设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 钽电容器 |
| 1.2.1 钽电容器及其应用 |
| 1.2.2 钽电容器的发展趋势 |
| 1.3 钽电容器的高频振动 |
| 1.3.1 高频振动 |
| 1.3.2 高频振动的分析方法 |
| 1.3.3 钽电容器的高频振动分析 |
| 1.4 主要研究内容 |
| 1.4.1 课题来源 |
| 1.4.2 本文的主要研究内容 |
| 2 高频振动分析及结构优化的理论基础 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 有限元理论 |
| 2.3 振动理论 |
| 2.3.1 自由振动 |
| 2.3.2 受迫振动 |
| 2.4 基于有限元的振动分析 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 钽电容器建模与高频振动仿真方案 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 钽电容器结构分析 |
| 3.3 钽电容器有限元建模 |
| 3.3.1 有限元建模方案 |
| 3.3.2 钽电容器材料模型 |
| 3.3.3 边界与基础条件 |
| 3.3.4 网格划分与有限元模型的建立 |
| 3.4 钽电容器高频振动仿真方案 |
| 3.5 网格独立性仿真 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 钽电容器高频振动仿真分析与优化设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 钽电容器高频振动仿真结果分析 |
| 4.2.1 振动加速度a对钽电容器结构稳定性的影响 |
| 4.2.2 接触压力F对钽电容器结构稳定性的影响 |
| 4.2.3 摩擦系数f对钽电容器结构稳定性的影响 |
| 4.2.4 垫片材料对钽电容器结构稳定性的影响 |
| 4.2.5 接触面积比S对钽电容器结构稳定性的影响 |
| 4.3 钽电容器失效形式分析 |
| 4.4 钽电容器结构优化 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 钽电容器性能测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 钽电容器高频振动试验 |
| 5.2.1 电磁振动试验平台简介 |
| 5.2.2 物理振动试验结果分析 |
| 5.3 钽电容器电学性能测试 |
| 5.3.1 TH2816 型宽频LCR数字电桥简介 |
| 5.3.2 钽电容器电学性能测试结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 |
（8）冲击作用下引信起爆控制系统关键元器件失效机理及其可靠性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 本论文研究的目的和意义 |
| 1.2 国内外元器件失效研究现状 |
| 1.2.1 石英晶振失效研究现状 |
| 1.2.2 固体钽电容失效研究现状 |
| 1.3 主要研究内容 |
| 第2章 石英晶振失效机理分析 |
| 2.1 石英晶振简介 |
| 2.2 冲击作用下晶振性能测试 |
| 2.3 冲击作用下石英晶振失效机理分析 |
| 2.3.1 晶振片断裂失效分析 |
| 2.3.2 晶振性能失效分析 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 冲击作用下固体钽电容失效机理分析 |
| 3.1 固体钽电容简介 |
| 3.1.1 固体钽电容结构 |
| 3.1.2 .钽电容主要特性参数 |
| 3.1.3 .钽电容失效模式 |
| 3.2 冲击作用下固体钽电容电性能测试 |
| 3.3 钽电容实验结果及分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 起爆控制系统电路板安装优化 |
| 4.1 引信起爆控制系统优化设计研究 |
| 4.2 建立模型 |
| 4.3 结果分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 系统可靠性分析 |
| 5.1 引信起爆控制系统电路组成 |
| 5.2 系统可靠性分析 |
| 5.2.1 故障树分析法简介 |
| 5.2.2 故障树分析用的符号 |
| 5.2.3 系统故障树模型的建立 |
| 5.3 系统可靠性计算 |
| 5.4 本章小结 |
| 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表论文与研究成果清单 |
| 致谢 |
（9）不同条件下片式固体电解质钽电容器击穿失效机理及耐压性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 片式钽电容器的历史 |
| 1.1.1 钽元素 |
| 1.1.2 钽电容器的发展历史 |
| 1.1.3 片式钽电容器的主要应用领域和市场情况 |
| 1.2 片式钽电容器的性能及制造工艺简介 |
| 1.2.1 片式钽电容器的结构原理 |
| 1.2.2 片式钽电容器的主要生产流程 |
| 1.2.3 片式钽电容器的主要性能指标 |
| 1.2.4 片式钽电容器的主要失效模式 |
| 1.3 片式钽电容的闪火击穿自愈特性 |
| 1.3.1 片式钽电容器闪火击穿自愈特性简介 |
| 1.3.2 闪火击穿自愈特性测试及其对可靠性影响国内外研究现状 |
| 1.4 研究目标、研究内容及技术路线 |
| 1.4.1 研究目标 |
| 1.4.2 研究内容 |
| 1.5 本章小结 |
| 第二章 闪火击穿自愈特性测试系统 |
| 2.1 闪火击穿自愈特性测试原理 |
| 2.2 闪火击穿自愈特性测试系统组成 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 不同条件下片式钽电容器闪火击穿自愈特性测试及耐压性能研究 |
| 3.1 不同电流条件下闪火击穿自愈特性 |
| 3.1.1 测试条件及抽样 |
| 3.1.2 测试结果及分析 |
| 3.2 不同温度下闪火击穿自愈特性 |
| 3.2.1 测试条件及抽样 |
| 3.2.2 测试结果与分析 |
| 3.3 不同比容和不同电流条件下闪火击穿自愈特性 |
| 3.3.1 测试条件及抽样 |
| 3.3.2 测试结果及分析 |
| 3.4 不同比容和不同温度下闪火击穿自愈特性 |
| 3.4.1 测试条件及抽样 |
| 3.4.2 测试结果与分析 |
| 3.5 不同形成电压和不同电流条件下闪火击穿自愈特性 |
| 3.5.1 测试条件及抽样 |
| 3.5.2 测试结果及分析 |
| 3.6 不同形成电压和不同温度下闪火击穿自愈特性 |
| 3.6.1 测试条件及抽样 |
| 3.6.2 测试结果与分析 |
| 3.7 本章小结 |
| 第四章 闪火击穿自愈对片式钽电容器可靠性的影响研究 |
| 4.1 可靠性对比试验 |
| 4.1.1 部分主要试验的简要介绍 |
| 4.2 对比试验结果及对可靠性的影响分析 |
| 4.3 二极管老化对可靠性的影响分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 基于闪火自愈特性的片式钽电容器批次质量评估方法 |
| 5.1 评估目的 |
| 5.2 本评估方法的设计思路 |
| 5.3 抽样方法 |
| 5.4 样品的预处理程序 |
| 5.5 测试电压和电流选择 |
| 5.6 数据处理和分析方法 |
| 5.6.1 闪火击穿电压取值 |
| 5.6.2 数据处理 |
| 5.6.3 分析方法 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）钽电容器用高比容钽粉的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钽电容器 |
| 1.1.1 钽电容器简介 |
| 1.1.2 钽电容器结构与特点 |
| 1.1.3 钽电容器性能优越性分析 |
| 1.1.4 钽电容器的发展趋势 |
| 1.1.5 钽电容器的市场分析与预测 |
| 1.2 钽电容器用钽粉的制备方法介绍 |
| 1.2.1 氟钽酸钾钠热还原法制备高比容钽粉 |
| 1.2.2 氧化钽电脱氧法制备高比容钽粉 |
| 1.2.3 氧化钽镁还原法制备高比容钽粉 |
| 1.2.4 氧化钽钠还原法制备高比容钽粉 |
| 1.2.5 SOM法制备高比容钽粉 |
| 1.2.6 氧化钽钙还原法制备高比容钽粉 |
| 1.2.7 感应等离子体制备纳米钽粉 |
| 1.2.8 中、高压电容器钽粉制备 |
| 1.3 阳极氧化膜介绍 |
| 1.3.1 介质氧化膜的形成过程 |
| 1.3.2 阳极氧化膜的整流效应 |
| 1.3.3 氧化膜晶化失效 |
| 1.4 钽电容器阳极的电性参数 |
| 1.4.1 电容量 |
| 1.4.2 漏电流 |
| 1.4.3 介电损耗 |
| 1.4.4 击穿电压 |
| 1.5 选题的背景和研究的内容 |
| 1.5.1 选题的背景和意义 |
| 1.5.2 研究的内容 |
| 第二章 实验方法 |
| 2.1 工艺路线及说明 |
| 2.1.1 钠还原 |
| 2.1.2 水洗、酸洗 |
| 2.1.3 团化、热处理 |
| 2.1.4 镁处理降氧 |
| 2.2 试验原材料 |
| 2.3 实验设备 |
| 2.4 试验设计 |
| 2.5 分析检测 |
| 第三章 实验结果及分析 |
| 3.1 钠还原原粉制备及工艺条件对粉末性能的影响 |
| 3.2 钠还原粉FSSS粒度与钽粉比电容关系验证 |
| 3.3 热处理工艺对钽粉性能的影响 |
| 3.3.1 热处理温度对钽粉化学性能的影响 |
| 3.3.2 热处理温度对钽粉物理性能的影响 |
| 3.3.3 热处理温度对钽粉电性能的影响 |
| 3.4 镁处理工艺对钽粉降低氧含量的影响 |
| 3.4.1 不同加镁量对降氧效果的影响 |
| 3.4.2 不同反应温度对降氧效果的影响 |
| 3.4.3 不同反应时间对降氧效果的影响 |
| 3.5 高比容钽粉制备最佳实验方案生产实例 |
| 3.5.1 钠还原原粉制备 |
| 3.5.2 钽粉热处理和镁处理过程 |
| 第四章 结论与建议 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 建议 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间论文发表情况 |
四、片状钽电容器的发展现状（论文参考文献）
- [1]金属钽粉的生产及提纯工艺进展[J]. 苏龙兴,颜晓勇. 粉末冶金工业, 2021(01)
- [2]固体钽电容器阴极材料PEDOT的合成及光电性能的研究[D]. 林竟男. 长春理工大学, 2020(01)
- [3]信息不完全下HD公司研发投资决策优化研究[D]. 王佳蓉. 湖南工业大学, 2020(02)
- [4]提高片式钽电容器耐浪涌电流能力的工艺研究[D]. 代东升. 西安电子科技大学, 2019(05)
- [5]一种提高片式钽电容器耐压能力的形成方法研究[D]. 田超. 西安电子科技大学, 2019(05)
- [6]基于有限元的钽电容器高频振动分析与优化设计[D]. 舒启佳. 贵州师范大学, 2019(08)
- [7]钽电解电容器用导电聚合物银浆的研究进展[J]. 李福成,陈学清,包富贵. 宁夏大学学报(自然科学版), 2018(04)
- [8]冲击作用下引信起爆控制系统关键元器件失效机理及其可靠性分析[D]. 邱士起. 北京理工大学, 2016(03)
- [9]不同条件下片式固体电解质钽电容器击穿失效机理及耐压性能研究[D]. 陈双平. 西安电子科技大学, 2016(03)
- [10]钽电容器用高比容钽粉的研制[D]. 帅柱军. 中南大学, 2014(03)